二次电子一般都是在表层5~10nm深度范围内发射出来的,它对样品的表面形貌十分敏感,因此,能非常有效的显示样品的表面形貌。但二次电子的产额和原子序数之间没有明显的依赖关系,所以不能用它来进行成分分析。

1.二次电子名词解释

在入射电子束作用下被轰击出来并离开样品表面的样品原子的核外电子叫做二次电子。

二次电子名词解释

2.二次电子的产生与危害

(一)二次电子的产生:散射过程发生在比较接近样品表层处,那些能量大于材料逸出功的自由电子可从样品表面逸出,变成真空中的自由电子,即二次电子。
(二)二次电子的危害:
1、撞击到玻璃壳内壁上产生气体,降低管内真空度;
2、使玻璃壁呈现负电位,产生纵向拉应力,易导致玻璃壁损坏;
3、产生散射线,降低成像质量。

二次电子的产生与危害

3.二次电子成像原理及应用

二次电子成像原理

如果样品表面光滑平整(无形貌特征),则不形成衬度;而对于表面有一定形貌的样品,其形貌可看成由许多不同倾斜程度的面构成的凸尖、台阶、凹坑等细节组成,这些细节的不同部位发射的二次电子数不同,从而产生衬度。

二次电子成像原理图


二次电子成像应用

二次电子像分辨率高、无明显阴影效应、场深大、立体感强,是扫描电镜的主要成像方式(特别适用于粗糙样品表面的形貌观察),在材料及生命科学等领域有着广泛的应用。